La presente invención está relacionada con un dispositivo que permite depositar in situ materiales a diferentes ángulos de dirección de crecimiento a partir de una única fuente de evaporación. El crecimiento de los materiales en forma de película delgada a ángulo oblicuo que permite el dispositivo en mención, esta direccionado a procesos basados en la deposición física en fase de vapor (PVD por sus siglas en inglés) y se obtiene mediante la variación gradual del ángulo de orientación de la superficie del substrato con respecto al flujo de material proveniente de la fuente de evaporación. Este dispositivo permite modificar a escala nano y micrométrica la estructura de crecimiento de diversos materiales abriendo la posibilidad de estudiar la influencia de este tipo de microestructuras sobre las propiedades mecánicas, ópticas, térmicas, electroquímicas, etc de materiales en forma de película delgada.